特許
J-GLOBAL ID：201103032983200993
電極基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-174515
公開番号（公開出願番号）：特開2001-004993
特許番号：特許第4465740号
出願日： 1999年06月21日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に窒化チタンからなる下引き層と、銀系薄膜からなる光反射層と、酸化物からなる上側層とを順次積層し積層膜を形成する工程と、
フォトリソグラフィにより前記積層膜上に光硬化性樹脂パターンを形成する工程と、
エッチングにより前記金属層及び前記上側層をパターニングする工程と、
エッチングにより前記下引き層をパターニングする工程と、
前記光硬化性樹脂パターンを剥膜する工程と、
を有する電極基板の製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/1335 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
, H05B 33/26 ( 200 6.01)
, C22C 5/06 ( 200 6.01)
G02F 1/133 520
, G09F 9/30 336
, H05B 33/26 Z
, C22C 5/06 Z
