特許
J-GLOBAL ID:201103033221734962
半導体パッケージと、それに用いる放熱基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
後藤 洋介 (外1名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-001772
公開番号(公開出願番号):特開2000-216278
特許番号:特許第3479738号
出願日: 1999年01月07日
公開日(公表日): 2000年08月04日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体素子を搭載するパッケージにおいて、モリブデンの圧粉体に質量比で30〜40%の銅(Cu)を溶融し、直接染み込ませる含浸してなるCu-Mo複合基板であって、板厚が0.4mm未満の放熱基板を有することを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (7件):
H01L 23/02
, B21B 3/00
, B22F 3/04
, B22F 3/26
, C04B 37/02
, H01L 23/06
, H01L 23/373
FI (7件):
H01L 23/02 H
, B21B 3/00 L
, B22F 3/04 A
, B22F 3/26 D
, C04B 37/02 B
, H01L 23/06 B
, H01L 23/36 M
引用特許:
審査官引用 (3件)
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放熱基板材料
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-065701
出願人:東邦金属株式会社
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傾斜機能材料の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-078059
出願人:本田技研工業株式会社
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特開昭52-150161
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