特許
J-GLOBAL ID：201103033356533150
多結晶シリコンの製造方法、製造装置及び多結晶シリコン
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-160105
公開番号（公開出願番号）：特開2011-037699
出願日： 2010年07月14日
公開日（公表日）： 2011年02月24日
要約：
【課題】高圧かつ原料大量供給の条件で、ロッドの溶断を防ぎつつ高い成長速度と収率でシリコンロッドを大径に成長させる。【解決手段】反応炉内のシリコン芯棒に通電してシリコン芯棒を発熱させ、シリコン芯棒にクロロシラン類を含む原料ガスを供給することにより、シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させロッドとして成長させる多結晶シリコンの製造方法において、高圧で原料ガスを大量に供給する条件で、シリコン芯棒への電流の調整により表面温度を所定の範囲に維持すると共に、ロッドの中心温度がシリコンの融点未満の所定温度に達するまで単位表面積当たりのクロロシラン類供給量を所定範囲内に維持しながら原料ガスを供給する前半工程と、ロッド径に応じて予め定めておいた電流値に設定するとともに単位表面積当たりの原料ガス供給量を低下させることで、ロッドの表面温度と中心温度を所定温度に維持する後半工程とを有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
反応炉内のシリコン芯棒に通電してシリコン芯棒を発熱させ、該シリコン芯棒にクロロシラン類を含む原料ガスを供給することにより、シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させロッドとして成長させる多結晶シリコンの製造方法において、
前記反応炉内の圧力が0.4〜0.9MPaであり、前記シリコン芯棒への電流の調整によりロッドの表面温度を所定の範囲に維持すると共に、前記ロッドの中心温度がシリコンの融点未満の所定温度に達するまで単位表面積当たりのクロロシラン類供給量を2.0×10-7〜3.5×10-7mol/sec/mm2の範囲内に維持しながら原料ガスを供給する前半工程と、前記ロッドの中心温度がシリコンの融点未満の所定温度に達した後、ロッド径に応じて予め定めておいた電流値に設定するとともに前記単位表面積当たりの原料ガス供給量を低下させながら前記ロッドの表面温度と中心温度を所定範囲に維持する後半工程とを有することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072BB12
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072GG04
, 4G072GG05
, 4G072HH07
, 4G072JJ01
, 4G072LL01
, 4G072MM01
, 4G072NN01
, 4G072NN14
, 4G072RR04
, 4G072RR11
, 4G072SS20
, 4G072TT01
, 4G072UU02
