特許
J-GLOBAL ID:201103033391039029

有機層の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-231626
公開番号(公開出願番号):特開2002-050621
特許番号:特許第4348846号
出願日: 2000年07月31日
公開日(公表日): 2002年02月15日
請求項(抜粋):
【請求項1】 全面又は一部に金属を有する半導体素子表面に、N-β(アミノエチル)γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-β(アミノエチル)γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノ-プロピルトリメトキシシランからなる群より選ばれる少なくとも1種のシランカップリング材を塗布、加熱処理を行った後、ポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂または感光性ポリベンゾオキサゾール前駆耐樹脂を塗布、プリベークした後、必要に応じてパターン加工を行った後、硬化を行って有機層を形成することを特徴とする有機層の形成方法。
IPC (4件):
H01L 21/312 ( 200 6.01) ,  C09D 179/04 ( 200 6.01) ,  C09D 183/04 ( 200 6.01) ,  C09D 183/08 ( 200 6.01)
FI (5件):
H01L 21/312 C ,  H01L 21/312 D ,  C09D 179/04 B ,  C09D 183/04 ,  C09D 183/08
引用特許:
審査官引用 (2件)

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