特許
J-GLOBAL ID：201103033536444326

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者：
金 光淑

金 光淑 について

, 
金 民圭

金 民圭 について


出願人/特許権者：
三星モバイルディスプレイ株式會社

三星モバイルディスプレイ株式會社 について


代理人 (1件)： アイ・ピー・ディー国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-279521
公開番号（公開出願番号）：特開2011-129926
出願日： 2010年12月15日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：
【課題】酸化物半導体TFTの電気的特性及び安定性を向上することが可能な、薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体TFT10は、基板11と、基板11上に設けられたゲート電極13と、ゲート電極13及び露出された基板11上に設けられたゲート絶縁膜15と、ゲート絶縁膜15上のゲート電極13に対向する位置に設けられ、Znの濃度勾配を持つHfInZnO系酸化物半導体からなる酸化物半導体層17と、酸化物半導体層17の両側からゲート絶縁膜上に延びるソース及びドレインと、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に設けられたゲート電極と、 前記ゲート電極及び露出された前記基板上に設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極に対向する位置に設けられ、Znの濃度勾配を持つHfInZnO系酸化物半導体からなる酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層の両側から前記ゲート絶縁膜上に延びるソース及びドレインと、を備えることを特徴とする、薄膜トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/203 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/363
FI (8件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618A ,  H01L21/203 S ,  C23C14/08 K ,  C23C14/34 S ,  H01L21/363
Fターム (50件)：
4K029BA45 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC16 ,  4K029EA09 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL13 ,  5F103NN03 ,  5F103RR05 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110BB09 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110NN16
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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