特許
J-GLOBAL ID：201103033538695989
窒化物半導体基板の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-356459
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176813
特許番号：特許第3518455号
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の面と第2の面とを有し窒化物半導体と異なる材料からなる異種基板の第1の面上に、窒化物半導体からなる下地層を成長させる第1の工程と、前記第1の工程後に、前記下地層を部分的に異種基板までエッチングして凹凸を形成し、該凹凸が下地層と異種基板との接触面から1000オングストローム以上の深さで削られており、凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長が可能な面を露出させる第2の工程と、前記第2の工程後に、前記凹凸を有する下地層上に、第1の窒化物半導体を成長させ、転位の低減された第1の窒化物半導体を形成すると共に、凹部底部の異種基板と第1の窒化物半導体との間に空隙を形成させる第3の工程と、前記第3の工程後に、前記異種基板の第2の面に電磁波を照射し、下地層と異種基板との界面で分離して異種基板を取り除く第4の工程と、を有することを特徴とする窒化物半導体基板の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/268
, C23C 16/34
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 33/00
H01L 21/268 E
, C23C 16/34
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
