補強半導体基板の製造方法及び製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：青山葆 , 山崎宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-401253
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197934
特許番号：特許第3905756号
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板の表面の周囲に熱硬化性材料を一定の塗布幅で塗布する塗布工程と、塗布後に前記半導体基板を第1の熱処理温度で熱処理し、前記熱硬化性材料の粘度を低下させて前記塗布幅を広げる第1熱処理工程と、第1の熱処理後に前記半導体基板を前記第1の熱処理温度より低温の第2の熱処理温度で熱処理し、前記熱硬化性材料を硬化させる第2熱処理工程とを備えることを特徴とする補強半導体基板の製造方法。

IPC (1件)：