特許
J-GLOBAL ID：201103033827300275
シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-319970
公開番号（公開出願番号）：特開2001-139399
特許番号：特許第4016371号
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2001年05月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】主表面の面方位が(100)のシリコン単結晶基板上に第一エピタキシャル層を気相成長させる第一気相成長工程と、
第一エピタキシャル層の表面の第一領域に第一不純物をイオン注入するための第一イオン注入用マスクを、フォトレジスト膜により前記第一エピタキシャル層の表面に直接形成する第一マスク形成工程と、
前記第一イオン注入用マスクが形成された前記第一エピタキシャル層に対して、前記第一不純物をイオン注入することにより、前記第一領域に対応する位置に第一イオン注入層を形成する第一イオン注入工程と、
前記第一エピタキシャル層の表面の前記第一領域とは異なる第二領域に、前記第一不純物とは種類の異なる第二不純物をイオン注入するための、第二イオン注入用マスクを、フォトレジスト膜により前記第一エピタキシャル層の表面に直接形成する第二マスク形成工程と、
前記第二イオン注入用マスクが形成された前記第一エピタキシャル層に対して、前記第二不純物をイオン注入することにより、前記第二領域に対応する位置に第二イオン注入層を形成する第二イオン注入工程と、
該第二イオン注入工程の終了後、常圧下にて950°C以上1100°C以下の温度範囲にて行う水素熱処理工程と、
該水素熱処理工程が終了した後に、減圧雰囲気下にて封止用エピタキシャル層を気相成長させる封止成長工程と、を1組として、
それら工程の組を複数回繰り返すことにより、層間にイオン注入層を埋込層として挟む形にて複数のエピタキシャル層を積層形成することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 21/266 ( 200 6.01)
, H01L 21/265 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
C30B 29/06 504 K
, H01L 21/265 M
, H01L 21/265 602 A
, H01L 29/78 658 E
