評価用半導体チップ、評価システム及びそのリペア方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人湘洋内外特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-006948
公開番号（公開出願番号）：特開2011-196993
出願日： 2011年01月17日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】半導体チップを評価する技術を提供する。【解決手段】シリコン基板の一方の面に、複数領域からなる抵抗測温体としての金属配線膜101、及び、1つ又は複数領域からなるヒータとしての金属配線膜102の少なくとも何れかと、金属配線膜101及び金属配線膜102を実装基板と接続するための電極103と、が積層された半導体チップを実装基板に実装して、金属配線膜101を電流計及び電圧計と、金属配線膜102を電源と、電気的に接続することで、半導体チップの上記各領域における測温及び加熱、及び、その温度プロファイルが評価可能な評価システムを提供する。【選択図】図14

請求項（抜粋）：

半導体チップを評価するための評価システムであって、半導体基板の一方の面に、複数領域からなる抵抗測温体としての第1の配線、1つ又は複数領域からなるヒータとしての第2の配線、の少なくとも何れかと、前記第1の配線及び第2の配線を電気的に接続するための電極と、を有する半導体チップと、当該半導体チップを実装する実装基板と、前記半導体基板の他方の面側に、前記実装基板に固定された放熱材料と、を備え、前記第1の配線は、電流計及び電圧計に電気的に接続されて、領域ごとに測温可能であり、前記第2の配線は、電源に電気的に接続されて、領域ごとに加熱可能であること、を特徴とする評価システム。

IPC (4件)：

G01R 31/26 , H01L 23/52 , H01L 21/320 , G01R 31/28

FI (4件)：

G01R31/26 H , H01L21/88 S , G01R31/28 U , G01R31/28 H

Fターム (34件)：

2G003AA07 , 2G003AD03 , 2G003AF01 , 2G003AG04 , 2G003AH02 , 2G132AA00 , 2G132AB04 , 2G132AB14 , 2G132AE04 , 2G132AF02 , 2G132AG01 , 2G132AK04 , 2G132AL21 , 5F033HH00 , 5F033JJ00 , 5F033JJ01 , 5F033KK07 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK17 , 5F033KK19 , 5F033KK35 , 5F033MM08 , 5F033PP27 , 5F033QQ41 , 5F033QQ76 , 5F033RR04 , 5F033RR22 , 5F033SS25 , 5F033SS27 , 5F033VV00 , 5F033VV09 , 5F033VV12 , 5F033XX37

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-025266 出願人：株式会社日立製作所
熱抵抗測定装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-138802 出願人：日本イノブ株式会社
特開平2-299260

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