特許

J-GLOBAL ID：201103033928566934

同位置でのポリマー堆積とエッチングによりマスクの等価臨界寸法を減少する方法

発明者： 蔡 明桓 ,  楊 建倫
出願人/特許権者： 聯華電子股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： 竹本 松司 (外5名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-225215
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053062
特許番号：特許第3485501号
出願日： 1999年08月09日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 同位置でのポリマー堆積とエッチングによりマスクの等価臨界寸法を減少する方法であって、該方法が、少なくとも以下のステップ、即ち、パターンを具えたマスクを提供するステップ、リソグラフィー工程により、該マスクの該パターンを基板の上に位置するホトレジストに転写するステップ、該ホトレジストを具えた該基板を複数の独立した電源を具えた一つのプラズマ反応器中に入れ、プラズマのイオン密度と該プラズマのイオンエネルギー量をそれぞれ調整して該基板と該ホトレジストを、該プラズマ反応器内のプラズマと反応させるステップ、該プラズマ反応器により同じ環境下で堆積工程とエッチング工程を行ない、該ホトレジストの上にポリマー層を形成し、並びに該パターンに対応し特定の高さ幅比を具えた凹構造を形成し、該ポリマー層に突出状被覆を以て該凹構造を被覆させると共に該凹構造の底部は被覆させず、これにより、該凹構造の高さ幅比を該ポリマー層により増加させると共に該ホトレジストの等価臨界寸法を縮小させるステップ、以上を具備することを特徴とする、同位置でのポリマー堆積とエッチングによりマスクの等価臨界寸法を減少する方法。

IPC (1件)：

H01L 21/30

FI (1件)：

H01L 21/30

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-040581   出願人：ソニー株式会社
• 特許第2917993号
  
• ドライエッチング装置およびドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-218442   出願人：ソニー株式会社
• 特許第2917993号