特許
J-GLOBAL ID：201103034040859719

積み重ねられた処理対象品を特に処理するための処理装置

発明者：
プロブスト、フォルカー

プロブスト、フォルカー について


出願人/特許権者：
プロブスト、フォルカー

プロブスト、フォルカー について


代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-513956
公開番号（公開出願番号）：特表2011-524644
出願日： 2009年06月19日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：
本発明は、薄層の、具体的には導体、半導体、または絶縁体の薄層の製造のために、具体的には平面基板の形態の具体的には積み重ねられた処理対象品の処理のための処理装置であって、具体的には、処理室の壁の少なくとも1つの壁、具体的には処理装置のすべての壁の中に少なくとも部分的にある及び/又は熱の作用で接続する少なくとも1つの焼き戻し装置を含む、プロセスガスを受け取るための浄化可能な処理室であって、前記処理室が処理室の壁の少なくとも一部の領域を、具体的には実質的に処理室の処理室壁全体を所定の温度に保持する、具体的には処理対象品の処理の少なくとも一部の間に第1の温度で同じものを保持するように装備及び適合され、上記温度が第2の温度としての室温よりも低くなく、処理室内で生成されることができ、かつ室温よりも高い第3の温度よりも低い洗浄可能な処理室と、処理室内にガス流循環を、具体的には強制対流を生成するための少なくとも1つのガス搬送装置と、ガス搬送装置により生成されるガス流循環内に配置されるまたは配置されることができる、ガスを加熱するための少なくとも1つの加熱装置と、生成されるまたは生成されることができるガス流循環の少なくとも一部がガス誘導装置を通って広がるように、処理対象品スタックを受け取るように構成され、かつ処理室内に配置されるまたは配置されることができる少なくとも1つのガス誘導装置と、第1のガス密及び/又は真空気密ロック装置にロックされることができ、かつ処理対象品スタックがガス誘導装置の中に挿入されることができる任意選択の少なくとも1つのローディング開口部と、プロセスガスをガス流循環の中に供給するための任意選択の少なくとも1つのガス注入装置とを含む処理装置に関する。本発明はさらに、本発明による少なくとも1つの処理装置、少なくとも1つの冷却装置、及び/又は少なくとも1つのチャネリング装置を含む、積み重ねられた処理対象品を処理するための処理システムに関する。最後に、本発明はまた、本発明による処理装置または本発明による処理システムを利用して、薄層、具体的には導体、半導体、または絶縁体の薄層の具体的には製造のために、具体的には積み重ねられた及び/又は平面の処理対象品を処理する方法に関し、積み重ねられた処理対象品の具体的には処理の少なくとも一部の間に処理室の壁の一部の領域が所定の温度で、具体的には第2の温度としての室温よりも低くなく、かつ少なくともフェーズにおいて処理中に処理室内で生成される、室温よりも高い第3の温度よりも低い第1の温度で保持される。
請求項（抜粋）：
プロセスガス(44)を受け取るための排気可能な処理室(14)を含み、薄層、具体的には導体、半導体又は絶縁体の薄層の製造のための、具体的には平面基板の形態にあり、具体的には積み重ねられた処理対象品(12)を処理するための処理装置(10)であって、 少なくとも1つの壁、具体的には処理室のすべての壁の中に、具体的には少なくとも部分的にあり、及び/又は熱作用的に接続する少なくとも1つの焼き戻し装置であって、前記処理室が、前記処理室(14)の前記壁(16)の少なくとも一部の領域、具体的には前記処理室壁全体を所定の温度に保持し、具体的には前記積み重ねられた処理対象品の処理中の少なくとも一部において第1の温度で前記処理対象品を保持するように装備、かつ構成され、前記温度が第2の温度としての室温よりも低くなく、前記処理室内で生成可能であり、かつ室温よりも高い第3の温度よりも低い、前記焼き戻し装置と、 前記処理室(14)内にガス流循環を、具体的には強制対流を生成するための少なくとも1つのガス搬送装置(46、50)と、 前記ガス搬送装置(46、50)により生成される前記ガス流循環内に配置され又は配置可能な前記ガスを加熱するための少なくとも1つの加熱装置(36)と、 前記処理対象品スタック(66)を受け取るために構成される少なくとも1つのガス誘導装置(24)であって、前記処理室(14)内に配置され又は配置可能であり、生成され又は生成可能な前記ガス流循環の少なくとも一部が前記ガス誘導装置(24)を通って広がる、少なくとも1つの前記ガス誘導装置(24)と、 第1のガス密及び/又は真空密封ロック装置にロックされることができる任意選択の少なくとも1つのローディング開口部(60)であって、前記ローディング開口部(60)を通って前記処理対象品スタック(66)が前記ガス誘導装置(24)の中に挿入可能である、前記ローディング開口部(60)と、 前記プロセスガス(44)を前記ガス流循環の中に供給するための任意選択の少なくとも1つのガス注入装置(42)と を含む処理装置(10)。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 E
Fターム (4件)：
5F151AA10 ,  5F151CB11 ,  5F151CB29 ,  5F151CB30
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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