特許

J-GLOBAL ID：201103034276030448

マグネトロンスパッタリング方法および装置

発明者： 宮本 隆志 ,  岩村 栄治 ,  細川 佳之 ,  木下 隆
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (2件)： 植木 久一 ,  小谷 悦司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-089388
公開番号（公開出願番号）：特開2000-282235
特許番号：特許第3766762号
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板上に膜を形成するためのアンバランスドマグネトロンスパッタリング方法であって、基板面に垂直な磁場成分がゼロになるような場所を無くすように基板の全面に垂直磁場を作用させてスパッタリングを行なうことを特徴とするアンバランスドマグネトロンスパッタリング方法。

IPC (2件)：

C23C 14/35 ( 200 6.01) ,  H01B 13/00 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C23C 14/35 C ,  H01B 13/00 503 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平3-010071
  
• 特開平1-309963
  
• 炭素薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-209597   出願人：花王株式会社
• 特開平3-111561
  

審査官引用 (3件)

• 特開平3-010071
  
• 特開平1-309963
  
• 炭素薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-209597   出願人：花王株式会社