チャージアップ現象を利用した下層配線構造の推定方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松下義治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115492
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306965
特許番号：特許第3784041号
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】表面が絶縁材料で形成されていて、前記絶縁材料内部に複数の配線を有する試料の基板及び前記複数の配線の各端子をアースした状態で、前記試料表面に荷電粒子のビームを照射することにより所定量の電荷を注入して該試料表面に各照射部位とアース間のキャパシタンスの差に基づく電位差分布を発生させ、該電位差分布を検出して下層配線構造を推定する方法。

IPC (3件)：