特許
J-GLOBAL ID：201103034754862721
スピンバルブ型薄膜素子とそのスピンバルブ型薄膜素子を備えた薄膜磁気ヘッド
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外8名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019117
公開番号（公開出願番号）：特開2000-215420
特許番号：特許第3212568号
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下側反強磁性層と、下側固定磁性層と、下側非磁性導電層と、フリー磁性層と、上側非磁性導電層と、上側固定磁性層と、上側反強磁性層と、前記フリー磁性層の磁化方向を一定方向に揃えるためのハードバイアス層と、前記下側固定磁性層と下側非磁性導電層とフリー磁性層と上側非磁性導電層と上側固定磁性層に検出電流を与える導電層とを有し、前記下側固定磁性層は前記下側反強磁性層との交換結合により前記フリー磁性層の磁化方向と交差する方向に磁化方向が固定され、前記上側固定磁性層は前記上側反強磁性層との交換結合により前記フリー磁性層の磁化方向と交差する方向に磁化方向が固定され、前記上側固定磁性層と下側固定磁性層の各々は非磁性中間層を介して第1の固定磁性層と第2の固定磁性層の2つに分断されて形成され、分断された第1の固定磁性層と第2の固定磁性層で磁化方向が互いに反平行のフェリ磁性状態とされ、前記上側固定磁性層の第1の固定磁性層が上側の反強磁性層に接して形成され、前記上側固定磁性層の第2の固定磁性層が上側非磁性導電層に接して形成され、前記下側固定磁性層の第1の固定磁性層が下側の反強磁性層に接して形成され、前記下側固定磁性層の第2の固定磁性層が下側非磁性導電層に接して形成され、前記上側固定磁性層の第2の固定磁性層と下側固定磁性層の第2の固定磁性層の磁化方向はともに同一方向であり、前記上側及び下側の反強磁性層が、Pt-Mn合金により形成されたものであり、アニールを施すことにより、反強磁性が示されるとともに比抵抗が増加されたものであり、前記反強磁性層の比抵抗が200μΩ以上であることを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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