特許

J-GLOBAL ID：201103034816350927

磁気抵抗効果素子の製造方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法ならびに薄膜パターン形成方法

発明者： 佐藤 一樹 ,  笠原 寛顕 ,  太田 尚城
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (2件)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-332905
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133615
特許番号：特許第3568925号
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】所定形状の磁気抵抗効果膜パターンを含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、 基体の上に磁気抵抗効果膜を形成する第1の工程と、 少なくとも電子ビームリソグラフィを用いて前記磁気抵抗効果膜をパターニングすることにより、前記磁気抵抗効果膜パターンを形成する第2の工程と、 前記基体の上にダミー抵抗膜を形成する第3の工程と、 フォトリソグラフィを用いて前記ダミー抵抗膜をパターニングすることにより、前記磁気抵抗効果膜パターンの追加工に用いるダミー抵抗膜パターンを形成する第4の工程と を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 43/12 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01L 21/027 ,  H01L 43/08

FI (6件)：

H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 P ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R ,  H01L 21/30 502 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭57-072327
  
• レジストパターン形成方法及びリソグラフィシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-262882   出願人：株式会社東芝