特許

J-GLOBAL ID：201103034971642403

横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

発明者： 内海 智之 ,  大関 正一 ,  須田 晃一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立原町電子工業株式会社
代理人 (1件)： 作田 康夫 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-026967
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223707
特許番号：特許第3382172号
出願日： 1999年02月04日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】主表面を有する第1導電型の第1の半導体領域と、主表面から第1の半導体領域内に延びて設けた、それぞれストライプ形状を有する複数個の部分を有し、各部分が長手方向を揃えて長手方向と直角方向に交互に並設した、第2導電型の第2の半導体領域及び第2導電型の第3の半導体領域と、主表面から該第2の半導体領域の各部分内に延びかつ第2の半導体領域の長手方向に沿って形成した第1導電型の第4の半導体領域と、主表面上で前記第1、第2及び第4の半導体領域にまたがって形成した第1の絶縁層と、該第1の絶縁層を介して前記第1、第2及び第4の半導体領域にまたがって形成した多結晶半導体からなる制御電極と、前記第2及び第4の半導体領域に電気的に接続した第1の主電極と、主表面で前記第3の半導体領域に電気的に接続した第2の主電極と、前記第1の主電極上に形成した第2の絶縁層と、該第2の絶縁層を介して第1の主電極の上に形成した金属配線層とを備え、該金属配線層と前記制御電極とが、前記第2の絶縁層と第1の主電極とに形成した孔部を通して電気的に接続したことを特徴とする横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/78 654 ,  H01L 29/78 655

FI (3件)：

H01L 29/78 654 Z ,  H01L 29/78 655 Z ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 横型絶縁ゲートトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-186106   出願人：株式会社日立製作所