特許
J-GLOBAL ID：201103035135136125
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
青山 葆
, 山崎 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-148161
公開番号（公開出願番号）：特開2000-339979
特許番号：特許第3584181号
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】制御ゲート、浮遊ゲート、ドレイン及びソースを有して、電気的に情報の書き込み及び消去が可能な浮遊ゲート型電界効果トランジスタからなるメモリセルが行と列に配置されると共に、上記各行を構成するメモリセルの制御ゲートが接続される複数の行線と、上記各列を構成するメモリセルのドレインとその各列とは別の各列を構成するメモリセルのソースとが接続される複数の列線とを有する仮想接地型メモリセルアレイ領域と、制御ゲート、浮遊ゲート、ドレイン及びソースを有する浮遊ゲート型電界効果トランジスタからなるダミーセルが行と列に配置されると共に、上記各行を構成するダミーセルの制御ゲートが接続される上記複数の行線と、上記各列を構成するダミーセルのドレインとその各列とは別の各列を構成するダミーセルのソースとが接続される複数の列線とを有する仮想接地型ダミーセルアレイ領域とを備え、上記仮想接地型ダミーセルアレイ領域は、上記仮想接地型メモリセルアレイ領域の外周側に配置されている不揮発性半導体記憶装置において、少なくとも上記仮想接地型メモリセルアレイ領域の近傍の上記ダミーセルの浮遊ゲートに電子を注入することができる機能を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 624
, G11C 17/00 611 F
