特許
J-GLOBAL ID：201103035254639577
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
竹花 喜久男
, 宇治 弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-377279
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244267
特許番号：特許第4058234号
出願日： 2000年12月12日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に形成された第1導電型のMISFETおよび第2導電型のMISFETと、前記半導体基板上に第1の絶縁膜を介して形成され、前記第1導電型のMISFETおよび前記第2導電型のMISFETにW,Ru,TaN,Ti,TiN,Cu,AlまたはAlCuからなる第1の配線コンタクトを介して電気的に接続された複数本の第1の配線層と、これらの第1の配線層上に第2の絶縁膜を介して形成された複数本の第2の配線層と、これらの第2の配線層上に第3の絶縁膜を介して形成された複数本の第3の配線層とを具備し、
前記第1の配線層、前記第2の配線層および前記第3の配線層は、他の配線層が介在せずにこの順に積層され、
前記第1の配線層の配線膜厚は、前記第2の配線層の配線膜厚および前記第3の配線層の配線膜厚よりも小さく、前記第1の配線層と前記第2の配線層との距離は、前記第2の配線層と第3の配線層との距離の1.7倍に等しいかこれよりも大きく形成され、
前記第2の配線層または前記第3の配線層の電圧振幅は、前記第1の配線層の複数の配線の電圧振幅より小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 23/52 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 21/82 ( 200 6.01)
, H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
H01L 21/88 Z
, H01L 21/90 A
, H01L 21/82 W
, H01L 27/04 D
