薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田均 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115283
特許番号：特許第3062186号
出願日： 1999年04月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】透明基板上に薄膜トランジスタを製造する方法であって、前記透明基板の上に第1の導電層を形成し、前記薄膜トランジスタのゲートとする工程と、前記透明基板およびゲートの上にゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート上の前記ゲート絶縁層の上に、側壁を有するアクティブ層、不純物拡散層および導電遮蔽層を順に形成し、前記アクティブ層を前記薄膜トランジスタのチャネル領域とする工程と、前記導電遮蔽層をマスクとして酸化を施し、前記側壁および導電遮蔽層に酸化物を形成する工程と、前記導電遮蔽層上の前記酸化物を取り除く工程と、前記ゲート絶縁層および導電遮蔽層の上に第2の導電層を形成する工程と、前記第2の導電層、導電遮蔽層、および不純物拡散層をエッチングし、前記薄膜トランジスタのソースおよびドレインを形成する工程と、を含有することを特徴とする、薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 627 C , H01L 29/78 621

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-259565
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-219567 出願人：カシオ計算機株式会社
特開平2-043739

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