成膜方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：和田憲治 , 小松高 , 萩原康司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-316917
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144398
特許番号：特許第3611762号
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】BET法による比表面積が30m2/g以上のITO原料粉を用いて造粒し、得られた粒径がすべて200μm以下の造粒粉を用いて成形し、かつ、焼結して得られた焼結体に存在するポアの径が5μm以下で均一に分布しており、かつその相対密度が94.8%以上であるITO焼結体からなるターゲットをスパッタリングターゲットとしてDCスパッタとマグネトロンカソードを有するスパッタ装置に装備してスパッタリングすることにより、該ターゲット使用寿命に対して50%使用時においても表面黒化を起こすことなく、膜比抵抗が1.7×10-4Ωcm以下の低比抵抗透明導電膜を得ることを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：