特許
J-GLOBAL ID：201103035814358242

半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

発明者：
山本 庄司

山本 庄司 について

, 
小田島 定孝

小田島 定孝 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-151436
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340589
特許番号：特許第3990842号
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 主面に形成された接続電極にボール状接続端子を設けた半導体素子がこのボール状接続端子を介して接続された回路基板を塗布装置に搭載させ、前記回路基板上に前記半導体素子外周の一部を残して液状樹脂を塗布する工程と、前記半導体素子と前記回路基板とを減圧下に置いて、前記半導体素子と前記回路基板との間隙の空気を排除すると共に残された未塗布部を塞ぎ、前記半導体素子の全外周を前記液状樹脂で充填させる工程と、前記液状樹脂が充填された前記半導体素子と前記回路基板とを大気圧に戻して前記半導体素子と前記回路基板との間隙の未充填部分の樹脂充填を完了させる工程とを備え、前記半導体素子と前記回路基板とを大気圧に戻すまでの圧力を、段階的に任意の設定値に設定しながら、制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/56 ( 200 6.01) ,  H01L 21/60 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 21/56 E ,  H01L 21/60 311 S
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM