特許

J-GLOBAL ID：201103035906960810

超接合半導体素子の製造方法

発明者： 宮坂 靖 ,  藤平 龍彦
出願人/特許権者： 富士電機システムズ株式会社
代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004176
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208527
特許番号：特許第4447065号
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第一と第二の主面と、それぞれの主面に設けられた電極と、第一と第二の主面間に低抵抗層と、オン状態では電流を流すとともにオフ状態では空乏化する第一導電型ドリフト領域と第二導電型仕切り領域とを交互に配置した並列pn層とを備え、第一導電型ドリフト領域および第二導電型仕切り領域の双方の深さyが、第一導電型ドリフト領域および第二導電型仕切り領域それぞれの幅xより大きい超接合半導体素子の製造方法において、第一導電型ドリフト領域と第二導電型仕切り領域のうち少なくとも一方をイオン注入および熱処理により形成し、該イオン注入を加速電圧を連続的に変えておこなうことを特徴とする超接合半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 21/265 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 29/91 B ,  H01L 29/91 D ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 U ,  H01L 29/78 652 D ,  H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 658 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-004918   出願人：富士電機株式会社
• 特開昭62-026867
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-324211   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭62-026867