特許

J-GLOBAL ID：201103036539607861

半導体装置の製造方法

発明者： 吉田 浩介
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-039475
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243950
特許番号：特許第3211804号
出願日： 1999年02月18日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1導電型の半導体基板上に形成されたフィールド酸化膜で囲まれた活性領域内にゲート酸化膜を形成し、このゲート酸化膜上にゲート電極を形成する第1の工程と、前記ゲート電極をマスクにして、低濃度の第2導電型のソース拡散領域及びドレイン拡散領域を形成する第2の工程と、前記ゲート電極の側壁にサイドウォールを形成する第3の工程と、全面に酸化膜を堆積し、その後、前記ソース拡散領域又はドレイン拡散領域上の前記酸化膜に開口部を形成する第4の工程と、全面にノンドープ半導体を堆積し、所定の形状にパターニングする第5の工程と、前記ノンドープ半導体上部に高濃度の第2導電型の拡散層を形成する第6の工程と、前面に層間絶縁膜を堆積し、前記高濃度の第2導電型の拡散層に接続するコンタクトプラグを前記層間絶縁膜に形成する第7の工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 Y

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-274674   出願人：大見忠弘
• 特開平4-196275