特許
J-GLOBAL ID：201103036559924995
フォトマスクブランク、フォトマスク、及びそれらの製造方法並びに微細パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-562802
特許番号：特許第3276954号
出願日： 1999年07月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 透明基板上に少なくとも遮光機能を有する薄膜を形成したフォトマスクブランクにおいて、前記薄膜にヘリウムが含まれていることを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 L
, H01L 21/30 516 F
