特許
J-GLOBAL ID：200903049570917018
基板上にアモルファス水素添加炭素膜を堆積する方法
サンパス・プルショッサマン
, サンパス・プルショッサマン について
エドワード・ディー・バビシュ
, エドワード・ディー・バビシュ について
アレッサンドロ・セザール・コリーガリ
, アレッサンドロ・セザール・コリーガリ について
フュアド・エリアス・ドーニー
フュアド・エリアス・ドーニー について
出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション について
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-330046
公開番号（公開出願番号）：特開平8-225936
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】【課題】 アルゴン/炭化水素/水素/酸素のプラズマから、アモルファス水素添加炭素膜を堆積する反応性スパッタリングの方法を提供する。【解決手段】 アモルファス水素添加炭素膜は、可視領域において光学的に透明であり、UVおよびDUVの波長で、特に365nm,248nm,193nmの波長で部分的に吸収される。さらに、本発明により製造された膜は、アモルファスであり、硬質であり、耐引っかき性があり、エキシマレーザ・アブレーションまたは酸素反応性イオン・エッチング・プロセスでエッチング可能である。
請求項（抜粋）：
反応性スパッタ堆積によって基板上にアモルファス水素添加炭素膜を堆積する方法であって、アルゴンと、水素と、酸素と、炭化水素およびヘリウムを含む反応性ガスとを含むプロセス・ガスを与える工程と、前記基板と、前記基板とグラファイト・ターゲットをプレクリーニングするイオン銃と、前記チャンバを真空排気するポンプ手段とを有する堆積チャンバを与える工程と、前記イオン銃を介して不活性ガスを含むプレクリーニング・ガスを導入し、イオン形態で前記プレクリーニング・ガスのエネルギー・フラックスを生成し、前記プレクリーニング・ガスを用いて前記基板をプレクリーニングする工程と、前記堆積チャンバに前記プロセス・ガスを導入し、前記グラファイト・ターゲットにDCバイアス電圧を印加し、前記基板上にアモルファス水素添加炭素膜を反応的にスパッタ堆積する工程と、を含む、基板上にアモルファス水素添加炭素膜を堆積する方法。
IPC (5件)：
FI (5件)：
引用特許：
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