特許
J-GLOBAL ID:201103036666667040

IDDQ測定ポイント抽出方法、及びIDDQ測定ポイント抽出装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 堀口 浩
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-042500
公開番号(公開出願番号):特開2000-241492
特許番号:特許第3688498号
出願日: 1999年02月22日
公開日(公表日): 2000年09月08日
請求項(抜粋):
【請求項1】半導体製品の良品サンプル及び不良品サンプルについて、それぞれ複数のポイントでIDDQ測定を行い電流値を決定する工程と、前記良品サンプル及び不良品サンプルの前記電流値を測定サンプル毎、及び測定のポイント毎の電流値測定データとして蓄積する工程と、前記電流値測定データを用いて有効なIDDQ測定ポイントを抽出する工程と、を具備し、前記有効なIDDQ測定ポイントを抽出する工程は、良品サンプルの前記電流値測定データを基に判定基準値を求め、不良品サンプルを不良現象毎のカテゴリに分類し、不良品サンプルの各ポイントの前記電流値測定データについて前記判定基準値との比較をカテゴリ毎に行い、前記判定基準値を超える不良品の前記電流値測定データを前記カテゴリ内の各ポイント毎に集計し、前記判定基準値を超える不良品の前記電流値測定データの多いポイントに前記カテゴリ内で優先順位を付け、前記ポイントを不良カテゴリ別優先順位付き測定ポイントとして抽出する工程であることを特徴とするIDDQ測定ポイント抽出方法。
IPC (2件):
G01R 31/26 ,  H01L 21/66
FI (3件):
G01R 31/26 B ,  G01R 31/26 G ,  H01L 21/66 Y
引用特許:
審査官引用 (2件)

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