動作に関する単一ビット及び多重ビットモードを具えた不揮発性半導体メモリ装置及びそのプログラミング移行及び読出動作方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：志賀正武 , 渡邊隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102950
公開番号（公開出願番号）：特開平11-339486
特許番号：特許第3877462号
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】不揮発性半導体メモリにおいて、ノーマルデータを貯蔵するため使用されるメモリフィールドと、デバイスフォーミュレーション又はアドレスマッピングに対するデバイスデータを貯蔵するため使用される冗長フィールドを具えた不揮発性メモリセルアレーと、前記メモリフィールドに連結された多数の第1ページバッファと、前記冗長フィールドに連結された多数の第2ページバッファを具えたページバッファ回路と、前記第2ページバッファ内のラッチをイネーブル状態にするラッチイネーブル信号を生成して、該信号を前記第2ページバッファに提供するラッチ制御回路とを含み、前記第1ページバッファは、前記メモリフィールドに対して多重ビット動作を行い、前記第2ページバッファは、前記冗長フィールドに対して、単一ビット動作を行い、前記単一-ビット動作区間は、前記多重-ビットの動作区間と異なることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (3件)：

G11C 16/02 ( 200 6.01) , G11C 16/04 ( 200 6.01) , G11C 16/06 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G11C 17/00 641 , G11C 17/00 622 E , G11C 17/00 639 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-020821 出願人：日本電気株式会社
不揮発性半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-135814 出願人：株式会社東芝

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