特許

J-GLOBAL ID：201103037268912090

圧電体薄膜素子の製造方法

発明者： 村井 正己
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-070126
公開番号（公開出願番号）：特開2000-263784
特許番号：特許第3649273号
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 薄膜圧電体の製造方法において、ゾルゲル法によりPZTの前駆体を形成し、100-300°Cの水熱処理による低温加熱処理を施してこの前駆体を結晶化させ、この結晶化したPZTを種結晶として、この種結晶を元に水熱合成法を用いてPZTの結晶を成長させることを特徴とする圧電体膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 41/09 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  H01L 41/24

FI (4件)：

H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 A ,  B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 圧電体薄膜素子及びその製造方法、並びにこれを用いたインクジェット式記録ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-077668   出願人：セイコーエプソン株式会社