特許
J-GLOBAL ID：201103037443186438

常時オフ半導体デバイスおよびその作製方法

発明者：
ヘイクマン、ステン

ヘイクマン、ステン について

, 
ウー、イーフェン

ウー、イーフェン について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (8件)： 特許業務法人浅村特許事務所 ,  浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  清水 邦明 ,  林 鉐三 ,  大日方 和幸 ,  畑中 孝之 ,  岩見 晶啓
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-521088
公開番号（公開出願番号）：特表2011-529639
出願日： 2009年04月06日
公開日（公表日）： 2011年12月08日
要約：
常時オフ半導体デバイスが提供される。III族窒化物バッファ層が提供される。III族窒化物バリア層がIII族窒化物バッファ層上に設けられる。非伝導性スペーサ層がIII族窒化物バリア層上に設けられる。III族窒化物バリア層およびスペーサ層がエッチングされてトレンチを形成する。トレンチはバリア層を貫いて延びてバッファ層の一部を露出させる。誘電体層がスペーサ層上およびトレンチ内に形成され、ゲート電極が誘電体層上に形成される。半導体デバイスの形成に関連する方法も提供される。
請求項（抜粋）：
III族窒化物バッファ層と、 前記III族窒化物バッファ層上のIII族窒化物バリア層と、 前記III族窒化物バリア層上の非伝導性スペーサ層であって、前記III族窒化物バリア層および前記スペーサ層は前記バリア層を貫いて延びて前記バッファ層の一部を露出させるトレンチを画定する非伝導性スペーサ層と、 前記スペーサ層上および前記トレンチ内のゲート構造と、 前記ゲート構造上のゲート電極と、 を含むトランジスタ。
IPC (8件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/78
FI (7件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 Q ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/58 Z ,  H01L29/58 G ,  H01L29/44 Y ,  H01L29/78 301B
Fターム (109件)：
4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA07 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD07 ,  4M104DD17 ,  4M104DD26 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF07 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104FF37 ,  4M104GG04 ,  4M104GG08 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR06 ,  5F102GR07 ,  5F102GS03 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21 ,  5F140AA30 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BB18 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD17 ,  5F140BD18 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE11 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BF35 ,  5F140BF42 ,  5F140BF43 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ27
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 電界効果半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-108902   出願人：サンケン電気株式会社
審査官引用 (1件)
  • 電界効果半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-108902   出願人：サンケン電気株式会社

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