特許
J-GLOBAL ID：200903022592356243

電界効果半導体装置

発明者：
佐藤 憲

佐藤 憲 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-108902
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004743
出願日： 2008年04月18日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：
【課題】ノーマリオフのHEMTを得ることが困難であった。【解決手段】本発明に従うHEMTは、電子走行層4と、この上を覆う電子供給層5と、電子供給層5と、ソース電極6と、ドレイン電極7と、ゲート電極8と、第1及び第2の絶縁膜9,10と、圧電体層11とを有している。第1の絶縁膜9は電子走行層4と電子供給層5とのヘテロ接合面に沿って生じる2DEG層13を分断する働きを有する。圧電体層11はゲート電極8の電圧に応答して第1の絶縁膜9の応力を打ち消す働きを有する。これにより、ノーマリオフ特性を有し且つオン抵抗が小さいHEMTを得ることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の半導体層と、前記第1の半導体層にヘテロ接合され且つ前記ヘテロ接合に基づいて2次元キャリアガス層を形成することができる材料から成る第2の半導体層とを備えている主半導体領域と、 前記主半導体領域の一方の主面上に配置されたソース電極と、 前記主半導体領域の一方の主面上に前記ソース電極から離間して配置されたドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の電流通路を制御するために前記主半導体領域の一方の主面上における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたゲート電極と、 前記ゲート電極と前記主半導体領域の一方の主面との間に配置され且つ平面的に見て前記主半導体領域の一方の主面上における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の一部のみに配置され且つ前記2次元キャリアガス層のキャリア濃度を低減させる方向の応力を発生する材料で形成された絶縁膜と、 前記ゲート電極と前記絶縁膜との間に配置され且つ前記ゲート電極に印加された電圧に応答して前記絶縁膜の前記応力を打ち消す方向の歪みを発生する材料から成る圧電体層と を備えていることを特徴とする電界効果半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/28 Z
Fターム (46件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA06 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104DD26 ,  4M104EE02 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF07 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR08 ,  5F102GS04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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