特許

J-GLOBAL ID：201103037444079716

半導体装置の製造方法

発明者： 深田 晋一 ,  野尻 一男 ,  湯之上 隆 ,  堀田 尚二 ,  青木 英雄 ,  大島 隆文 ,  小林 伸好
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158758
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349150
特許番号：特許第4094174号
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体装置の製造方法であって、 (a)基板上に第1絶縁層を形成する工程、 (b)前記第1絶縁層上に、配線溝を形成する際のエッチングマスクとなる配線溝パターン層を形成する工程、 (c)前記配線溝パターン層上に、接続孔を形成する際のエッチングマスクとなる孔パターン層を形成する工程、 (d)前記孔パターン層の存在下で、前記配線溝パターン層と前記第1絶縁層とにエッチング処理を施し、前記第1絶縁層に第1の深さの孔パターンを転写する工程、 (e)前記孔パターン層を除去する工程、 (f)前記配線溝パターン層および前記孔パターンの存在下で前記第1絶縁層にエッチング処理を施し、前記第1絶縁層に第2の深さの配線溝パターンを転写するとともに、前記第1の深さの孔パターンをさらにエッチングして第3の深さの孔パターンにする工程、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/88 K

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭10-112503
  
• 特開昭10-229122
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-067225   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 配線構造体の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-075519   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開昭10-112503
  
• 特開昭10-229122
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-067225   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 配線構造体の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-075519   出願人：松下電器産業株式会社