半導体素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：三枝英二 , 掛樋悠路 , 松本公雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003189
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274464
特許番号：特許第3864295号
出願日： 1999年01月08日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の半導体基板内に形成された素子形成用の第2導電型の主ウェル領域に対応する前記半導体基板に形成され、光を透過する複数の透過部と、それら透過部の周囲の遮光部とを備えた第1領域と、前記半導体基板内で前記主ウェル領域と隔離形成された第2導電型の静電気放電用ウェル領域に対応する前記半導体基板に形成された複数のパッドと、それらパッドの周囲に形成された放電部とを備えた第2領域と、から構成され、前記放電部及び前記遮光部の何れもが、前記半導体基板の上に形成され、プラズマエッチングされた絶縁層と、該絶縁層の上面に形成され、光を遮断するための接地された光学金属層とを備えることを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：