特許
J-GLOBAL ID：201103037798204739
プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-312903
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135615
特許番号：特許第4532632号
出願日： 1999年11月02日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 マイクロ波が透過可能な誘電体窓で一部を形成されたプラズマ処理室と、
前記プラズマ処理室内に設置される被処理基体の支持手段と、
前記プラズマ処理室内へ処理用ガスを導入するガス導入手段と、
前記プラズマ処理室内を真空排気する排気手段と、
2つのマイクロ波導入口と、前記誘電体窓側の面に予め定められた角度間隔で穿孔されてなる複数のスロットとを有する無終端の環状導波管とを備え、
前記環状導波管は、前記各マイクロ波導入口から導入したマイクロ波を前記各スロットを介して前記誘電体窓を透して前記プラズマ処理室内へ導入するプラズマ処理装置であって、
前記環状導波管の中心軸上に1つのマイクロ波の入口があり、それを2つに分岐したマイクロ波の出口が各々前記環状導波管の180度間隔に設けられた前記2つのマイクロ波導入口と接続され、
前記マイクロ波導入口には、マイクロ波を2方向にH分岐導入する分岐手段が設けられ、
前記環状導波管は、その周長が管内波長の偶数倍であり、前記2つのマイクロ波導入口の一方に、導入したマイクロ波の位相を180度進める位相シフタを備えるものであることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, C23C 16/511 ( 200 6.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
H01L 21/302 101 D
, C23C 16/511
, H05H 1/46 B
