半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-020445
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223777
特許番号：特許第3307600号
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】リッジ状の構造が形成されている半導体基板上に、光が発生する活性層と、その活性層の上下にキャリアと光を活性層に閉じ込めるダブルへテロ構造を備え、かつ、このダブルへテロ構造の近傍で、かつ上下方向の少なくとも一方に、アルミニウム(Al)を含む結晶層が設けられており、そのアルミニウムを含む層は基板のリッジ構造によって、リッジの上面と下面の間で途切れており、かつ前記アルミニウムを含む層の一部が酸化されている半導体レーザ素子。

IPC (1件)：