磁気抵抗素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056190
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252549
特許番号：特許第3590291号
出願日： 1999年03月03日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】強磁性体の薄膜を用いた4つの抵抗エレメントを絶縁基板上に形成した磁気抵抗素子において、前記4つの抵抗エレメントは、前記絶縁基板上に、基板ヒーターを取りつけた電子ビーム(EB)真空蒸着法を使用して、350°C以上450°C以下の基板温度においてNiFe合金である強磁性体の薄膜を形成し、続いてエッチングにより作製されており、該磁気抵抗素子は、印加磁界30Oe(エルステッド)において駆動電圧を5Vとしたときに出力電圧値が30mV以上得られ、かつ初め無磁界状態から1つのエレメントに直交する方向に150Oe以上の磁界を印加した後に無磁界にした時に第1の出力電圧値を示し、さらに前記磁界に直交する方向に150Oe以上の磁界を印加した後に再び無磁界にした時に第2の出力電圧値を示し、前記第1の出力電圧値と前記第2の出力電圧値の差の絶対値(ヒステリシス値)が3mV以下となる特性を有することを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , H01L 43/12

FI (3件)：

H01L 43/08 Z , H01L 43/12 , G01R 33/06 R

引用特許：

審査官引用 (6件)

磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-223445 出願人：旭化成工業株式会社
磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-150714 出願人：横河電機株式会社
特開昭60-165337

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