特許

J-GLOBAL ID：201103037949188897

半導体製造方法

発明者： 長谷川 博之 ,  山岡 智則 ,  石原 良夫 ,  増崎 宏
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社 ,  大陽日酸株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  青山 正和 ,  村山 靖彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-108563
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291671
特許番号：特許第3636962号
出願日： 2000年04月10日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板が内部に設置された反応室内にガス供給源から反応性ガスを流して基板と反応性ガスとを反応させる反応性ガス処理を行う半導体製造方法であって、 前記基板を設置した状態で前記反応室内又は該反応室のガス排気系内の水分濃度を計測し、該水分濃度に基づいて反応性ガス処理の条件を調整し、 前記反応性ガス処理の条件は、前記反応室内に反応性ガスを流入させる前に行う前記基板の加熱条件を含み、 前記加熱条件は、前記基板の加熱温度、基板の加熱時間又はパージガスの流量の少なくとも一つであり、 表面の少なくとも一部に酸化シリコンが形成されている前記基板に対して前記反応性ガス処理を行うとともに、 前記基板は、シリコン基板であり、前記反応性ガス処理は、前記基板の表面のうちシリコンが露出した領域に選択的に半導体層を成長させる処理であることを特徴とする半導体製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/205

FI (1件)：

H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-085927
  
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-302857   出願人：国際電気株式会社
• 特開平4-085927