気相薄膜成長装置のサセプタおよび該サセプタを用いた気相薄膜成長装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：木下茂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-365912
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185490
特許番号：特許第4236230号
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】気相薄膜成長装置に固定されたガス整流用部材の上端部に近接して設けられると共に、半導体基板を上面に載置して回転可能に設けられた気相薄膜成長装置のサセプタにおいて、前記サセプタの裏面周縁部から下方に突出して形成され、外壁面が前記ガス整流用部材の内側上部に近接して形成された環状周壁を備え、前記環状周壁によって、前記サセプタの裏面に沿ってその中心部から周縁部に向かって流れる雰囲気ガスの気流が下方に誘導されることを特徴とする気相薄膜成長装置のサセプタ。

IPC (2件)：