特許

J-GLOBAL ID：201103038706315161

プラズマ成膜装置及び方法

発明者： 河野 雄一 ,  藤原 敏人 ,  松倉 明彦 ,  神山 卓也 ,  山本 哲也
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社 ,  株式会社日本触媒
代理人 (4件)： 光石 俊郎 ,  光石 忠敬 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-042554
公開番号（公開出願番号）：特開2011-181599
出願日： 2010年02月26日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：

【課題】膜厚の均一性を向上させることができるプラズマ成膜装置及び方法を提供する。【解決手段】原料ガスをプラズマ状態にし、プラズマ状態の原料ガス同士を反応させて、基板W上に成膜を行う際、基板にバイアスを印加するプラズマ成膜装置1において、基板Wにバイアスを印加する電極11の半径R2を、基板の半径R1より大きくした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

原料ガスをプラズマ状態にし、プラズマ状態の前記原料ガス同士を反応させて、基板上に成膜を行う際、前記基板にバイアスを印加するプラズマ成膜装置において、 前記基板にバイアスを印加する電極の大きさを、前記基板より大きくしたことを特徴とするプラズマ成膜装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/312 ,  C23C 16/507

FI (3件)：

H01L21/31 C ,  H01L21/312 A ,  C23C16/507

Fターム (15件)：

4K030AA07 ,  4K030AA10 ,  4K030BA35 ,  4K030FA04 ,  4K030KA20 ,  5F045AA08 ,  5F045AB39 ,  5F045AC07 ,  5F045AE17 ,  5F045DP03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH11 ,  5F058AC10 ,  5F058AD09 ,  5F058AF02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-271122
  
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-179672   出願人：東京エレクトロン株式会社