特許
J-GLOBAL ID：200903087206247634

基板処理装置

発明者：
池田 太郎

池田 太郎 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-179672
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005147
出願日： 2004年06月17日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】サセプタへの堆積を抑制したプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】AlNなどの絶縁性セラミックスからなるサセプタ本体22Aには電極22Bおよびヒータ23が埋設されている。電極22Bには高周波源22Cより13.56MHzの高周波パワーが供給され、被処理基板に基板バイアスを形成する。本体22Aは平坦な表面を有し、さらに本体22A上には、石英ガラスカバー22aが装着されている。石英ガラスカバー22aは薄い外側領域22a1と外側領域22a1に囲まれ被処理基板を保持する厚い内側領域22a2とよりなり、内側領域22a1と外側領域22a2との間には3〜10mmの段差dが形成されている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
排気装置により排気され、プロセス空間を画成する処理容器と、 前記プロセス空間に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、 前記プロセス空間内にプラズマを生成させるプラズマ源と、 前記プロセス空間内に被処理基板を保持するように配設されたサセプタと、 前記サセプタ中に埋設された電極と、 前記電極に高周波電力を供給する高周波源と を備えた基板処理装置であって、 前記サセプタ上には、前記被処理基板Wを保持する絶縁カバーが、前記サセプタ表面を覆うように形成されており、 前記絶縁カバーは、前記被処理基板が載置される第1の領域と、前記第1の領域を囲む第2の領域とよりなり、 前記第1の領域は、前記第2の領域よりも大きな厚みを有することを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/683 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
H01L21/68 N ,  C23C16/458 ,  H01L21/31 C
Fターム (36件)：
4K030AA03 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA02 ,  4K030FA03 ,  4K030FA04 ,  4K030HA07 ,  4K030JA01 ,  4K030JA16 ,  4K030KA15 ,  4K030KA24 ,  4K030KA32 ,  4K030KA47 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA12 ,  5F031HA33 ,  5F031HA37 ,  5F031HA38 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031MA32 ,  5F045AA08 ,  5F045AB40 ,  5F045AD09 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EM02
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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