特許
J-GLOBAL ID:201103038780279274

エッチング方法およびエッチング装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 幸男
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-138073
公開番号(公開出願番号):特開2000-331982
特許番号:特許第3653416号
出願日: 1999年05月19日
公開日(公表日): 2000年11月30日
請求項(抜粋):
【請求項1】 所定の複数の半導体ウエハのエッチング方法において、 前記複数の半導体ウエハのエッチング処理に少なくとも必要な量のエッチング液を薬液タンクに収容する工程と、 半導体ウエハ1枚分の分量のエッチング液を前記薬液タンクから前記各半導体ウエハに供給して、該各半導体ウエハにエッチング処理を施すと共に、当該エッチング処理に用いた前記エッチング液を廃液タンクに回収する工程と、 前記複数の半導体ウエハの全ての前記エッチング処理が終了した後、前記廃液タンク内の前記エッチング液を次の所定の複数の半導体ウエハに対するエッチング処理に活用すべく、前記薬液タンクに供給する工程とを備えることを特徴とするエッチング方法。
IPC (1件):
H01L 21/306
FI (1件):
H01L 21/306 R
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 半導体基板の表面処理方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-214422   出願人:株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
  • 特開昭63-299233
  • 特開平3-039491
審査官引用 (3件)
  • 特開昭63-299233
  • 半導体基板の表面処理方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-214422   出願人:株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
  • 特開平3-039491

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