特許

J-GLOBAL ID：201103039125218102

ZnS-SiO2スパッタリングターゲット

発明者： 矢作 政隆 ,  高見 英生
出願人/特許権者： 日鉱金属株式会社
代理人 (1件)： 小越 勇
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-115658
公開番号（公開出願番号）：特開2002-309367
特許番号：特許第4047552号
出願日： 2001年04月13日
公開日（公表日）： 2002年10月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】添加物としてNa、K又はこれらの酸化物から選択した1種以上を、添加元素の酸化物換算で0.1〜5wt%含有し、相対密度が95%以上、SiO2部の結晶粒の平均粒径が0.1〜10μmであることを特徴とするZnS-SiO2スパッタリングターゲット。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  C04B 35/547 ( 200 6.01) ,  G11B 7/254 ( 200 6.01) ,  G11B 7/257 ( 200 6.01) ,  G11B 7/26 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  C04B 35/00 T ,  G11B 7/24 534 N ,  G11B 7/26 531

引用特許：

出願人引用 (1件)

• スパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-205203   出願人：三菱マテリアル株式会社

審査官引用 (1件)

• スパッタ割れのない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-205203   出願人：三菱マテリアル株式会社