特許
J-GLOBAL ID:201103039159553822

金属接合方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-368006
公開番号(公開出願番号):特開2001-185843
特許番号:特許第3840861号
出願日: 1999年12月24日
公開日(公表日): 2001年07月06日
請求項(抜粋):
【請求項1】 第1の回路基板での配線の接続部(C1)と、第2の回路基板での配線の接続部(C2)とを接続するための方法であって、 前記第1の回路基板での配線の接続部(C1)を構成する金属と第2の回路基板での配線の接続部(C2)を構成する金属との間に、C-H結合解離エネルギーが950kJ/mol以下であり、かつ、脂環式2級、直鎖3級、ベンジル位3級、脂環式アリル位3級及び両側ベンジル位2級の炭素を含む炭化水素化合物(30,70)を介在させた状態で、両基板の接続部(C1,C2)を向かい合わせて配置する工程と、 前記炭化水素化合物(30,70)を加熱することにより、前記炭化水素化合物(30,70)を熱分解させて前記炭化水素化合物(30,70)から水素が分離されたラジカルな状態とし、このラジカルな状態とされた炭化水素化合物によって前記金属の表面に形成された酸化膜を還元しつつ、前記金属の溶融もしくは拡散によって両基板の接続部(C1,C2)を構成する金属を接合する工程と、 を備えたことを特徴とする金属接合方法。
IPC (3件):
H05K 3/36 ( 200 6.01) ,  B23K 1/00 ( 200 6.01) ,  B23K 35/36 ( 200 6.01)
FI (3件):
H05K 3/36 B ,  B23K 1/00 330 E ,  B23K 35/36 Z
引用特許:
審査官引用 (2件)

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