特許

J-GLOBAL ID：201103039588525616

多結晶シリコン製造プロセスでの排ガス処理方法

発明者： 松永 省三
出願人/特許権者： 住友チタニウム株式会社
代理人 (2件)： 柳舘 隆彦 ,  吉田 正二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-233091
公開番号（公開出願番号）：特開2001-059677
特許番号：特許第3756018号
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体用の多結晶シリコンを製造するためのCVD反応炉で発生する排ガスからH2 を精製するために、排ガス中の塩化物を分離除去する多結晶シリコン製造プロセスでの排ガス処理方法において、前記排ガスを冷却して排ガス中の塩化物を凝縮回収した後、その排ガスを活性炭に通して排ガス中の低沸点の塩化物を高沸点の塩化物に変成させる際に、前記凝縮回収での排ガスの冷却温度を-40〜-30°Cとすることを特徴とする多結晶シリコン製造プロセスでの排ガス処理方法。

IPC (5件)：

F25J 1/00 ( 200 6.01) ,  B01J 20/20 ( 200 6.01) ,  B01J 21/18 ( 200 6.01) ,  B01D 53/68 ( 200 6.01) ,  B01D 53/86 ( 200 6.01)

FI (5件)：

F25J 1/00 ZAB Z ,  B01J 20/20 B ,  B01J 21/18 A ,  B01D 53/34 134 A ,  B01D 53/36 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ジクロロシラン含量の減少したトリクロロシランの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-117997   出願人：株式会社トクヤマ
• 塩化水素の減少した混合物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-008234   出願人：株式会社トクヤマ