特許

J-GLOBAL ID：201103039932902432

半導体装置及びその製造方法

発明者： 粉谷 直樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-177647
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007232
特許番号：特許第3902888号
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板にバイポーラトランジスタを形成するための半導体装置の製造方法であって、 半導体基板の上に第1のアモルファスシリコン膜を成長させた後、該第1のアモルファスシリコン膜に第1の開口部を、前記半導体基板におけるコレクタ領域が露出するように形成する第1の工程と、 前記第1のアモルファスシリコン膜の上にベース領域となるシリコンゲルマニウム層を、前記第1の開口部が完全に埋まるようにエピタキシャル成長させる第2の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/8249 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8222 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8248 ( 200 6.01) ,  H01L 21/331 ( 200 6.01) ,  H01L 29/737 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 27/06 321 B ,  H01L 27/06 101 U ,  H01L 29/72 H

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-251253   出願人：日本電気株式会社
• バイポーラトランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-229891   出願人：日本電気株式会社