特許
J-GLOBAL ID：201103039965835129
トンネル磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
皿田 秀夫 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-208440
公開番号（公開出願番号）：特開2001-034919
特許番号：特許第3400750号
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された強磁性フリー層と強磁性ピンド層が積層されたトンネル多層膜を有するトンネル磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法であって、該方法は、強磁性ピンド層の上に、トンネルバリア層および非磁性金属プロテクト層を順次形成する積層工程と、前記強磁性ピンド層、トンネルバリア層および非磁性金属プロテクト層を含む積層体の両サイドにサイド絶縁層を形成する絶縁層配置工程と、非磁性金属プロテクト層表面をクリーニング処理するクリーニング工程と、クリーニング処理された処理面を介して、強磁性ピンド層と対向するように強磁性フリー層を形成させる強磁性フリー層形成工程と、を含むことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
IPC (5件)：
G11B 5/39
, G01R 33/09
, H01F 10/32
, H01F 41/32
, H01L 43/08
G11B 5/39
, H01F 10/32
, H01F 41/32
, H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
