特許
J-GLOBAL ID：201103040085535400
半導体装置の製造方法並びに製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
高橋 省吾
, 稲葉 忠彦
, 村上 加奈子
, 中鶴 一隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-081505
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277876
特許番号：特許第4154793号
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁板の表主面に半導体素子を実装する表金属パターンが、裏主面に裏金属パターンが夫々一体的に形成された絶縁基板を、金属ベース板の主面に形成され、先端にリング状の第1の平坦面を有しその高さが相互に等しい複数の突起における前記第1の平坦面に載置し、前記裏金属パターンと前記主面の間を半田付けする半導体装置の製造装置において、前記主面を押圧する突起部と、該突起部の根元周縁に形成した第2の平坦面とを有し、前記突起部を前記主面に押圧してめり込ませることにより前記根元周縁の近傍にてリング状に隆起した前記主面の隆起高さを前記第2の平坦面で規制して加工する加工手段とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (2件)：
H05K 1/05 ( 200 6.01)
, H05K 3/44 ( 200 6.01)
H05K 1/05 Z
, H05K 3/44 Z
