特許
J-GLOBAL ID：201103040188209381
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181878
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015403
特許番号：特許第4037561号
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層内に第1、第2のコンタクトホールを形成し、この第1、第2のコンタクトホールに第1、第2の導電性プラグを埋め込み形成し、
前記第1、第2の導電性プラグを含む前記絶縁層上に配線層を堆積し、
前記配線層をパターニングして、前記第1の導電性プラグ上にボンデイングパッドを形成すると共に前記第2の導電性プラグ上にアライメントマークを形成し、
前記ボンデイングパッド上及びアライメントマーク上を含む全面にバリアメタルを堆積し、
前記ボンデイングパッド上の前記バリアメタル上にハンプ電極を形成し、
前記アライメントマーク上の前記バリアメタルを除去する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, G03F 9/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
H01L 21/30 502 M
, G03F 9/00 H
, H01L 21/90 B
