特許

J-GLOBAL ID：201103040394087322

シリコンウェーハ表面の微量有機物の評価方法

発明者： 遠藤 秀行 ,  吉見 年弘
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-053976
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252333
特許番号：特許第3627562号
出願日： 1999年03月02日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】COPを有しないシリコンウェーハの表面に、垂直方向および20〜40度の傾斜方向の2方向からレーザ光を照射し、上記垂直入射により得られたウェーハ表面の厚さ0.1μm未満の有機物凝集体を含むパーティクルの個数から、上記傾斜入射で得られた有機物凝集体を含まないパーティクルの個数を差し引くことで、この有機物凝集体の個数を計測して評価するシリコンウェーハ表面の微量有機物の評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01N 15/00 ,  G01N 21/88

FI (3件)：

H01L 21/66 J ,  G01N 15/00 A ,  G01N 21/88

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 外観検査方法および装置ならびに半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-011658   出願人：株式会社日立製作所