特許

J-GLOBAL ID：201103040738542059

Znがドープされた3B族窒化物結晶、その製法及び電子デバイス

発明者： 岩井 真 ,  東原 周平 ,  今井 克宏 ,  森 勇介 ,  北岡 康夫 ,  永井 誠二 ,  佐藤 峻之
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社 ,  豊田合成株式会社 ,  森 勇介
代理人 (1件)： 特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-167901
公開番号（公開出願番号）：特開2011-020896
出願日： 2009年07月16日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：

【課題】高抵抗且つ低転位密度のZnドープ3B族窒化物結晶を提供する。【解決手段】本発明のZnドープ3B族窒化物結晶は、比抵抗が1×102Ω・cm以上、3B族窒化物結晶中のZn濃度が1.0×1018atoms/cm3以上2×1019atoms/cm3以下、エッチピット密度が5×106/cm2以下のものである。この結晶は、液相法(Naフラックス法)により得ることができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

比抵抗が1×102Ω・cm以上、3B族窒化物結晶中のZn濃度が1.0×1018atoms/cm3以上2×1019atoms/cm3以下、エッチピット密度が5×106/cm2以下である、Znドープ3B族窒化物結晶。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  C30B 19/02

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  H01L21/20 ,  C30B19/02

Fターム (48件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB04 ,  4G077AB06 ,  4G077AB08 ,  4G077BE15 ,  4G077CG01 ,  4G077CG05 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EC08 ,  4G077EC10 ,  4G077ED01 ,  4G077ED06 ,  4G077EJ09 ,  4G077GA06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA01 ,  4G077QA11 ,  4G077QA26 ,  4G077QA27 ,  4G077QA71 ,  5F053AA03 ,  5F053AA50 ,  5F053DD20 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH07 ,  5F053JJ01 ,  5F053KK04 ,  5F053LL10 ,  5F053RR20 ,  5F152LL02 ,  5F152LL14 ,  5F152LN01 ,  5F152LN03 ,  5F152LN17 ,  5F152LP04 ,  5F152MM05 ,  5F152MM18 ,  5F152NN09 ,  5F152NN13 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09