特許
J-GLOBAL ID：201103040752871472
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-372541
公開番号（公開出願番号）：特開2001-184866
特許番号：特許第3447640号
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 メモリセルアレイと、このメモリセルアレイにおいて列をなす複数個のメモリセルが共通接続された複数のビット線対と、前記複数のビット線対が共通接続された入出力線対と、この入出力線対をプリチャージするプリチャージ回路と、を有し、前記プリチャージ回路は、前記メモリセルアレイにおいて行をなしデータの書き込み又は読み出しが行われる複数個のメモリセルが選択されてから最初に前記書き込み又は読み出しが行われる前までの前記プリチャージの電圧レベルを第1のレベルとし、書き込み終了後から次のデータの書き込み又は読み出しまでの前記プリチャージの電圧レベルを第2のレベルとする選択手段を有し、前記第1のレベルをVa、前記第2のレベルをVb、データの書き込み時における前記入出力線対の差電位の中心電位をVbalとすると、数式│Va-Vbal│により得られる値は、数式│Vb-Vbal│により得られる値よりも大きいことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 11/409
, G11C 11/407
G11C 11/34 353 F
, G11C 11/34 354 R
, G11C 11/34 362 S
